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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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CGH40006S高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree 晶体管
型号： CGH40006S

--- 产品参数 ---

  • 频段 高达 6 GHz
  • 增益 2.0 GHz 时 13 dB 小信号增益
  • 增益 6.0 GHz 时 11 dB 小信号增益
  • PIN PIN = 32 dBm 时典型值为 8 W
  • 电压 28 伏

--- 产品详情 ---

CGH40006 是无与伦比的；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGH40006；从 28 伏电压轨运行；提供通用的；适用于各种射频和微波应用的宽带解决方案。GaN HEMT 提供高效率；高增益和宽带宽能力；使 CGH40006 成为线性和压缩放大器电路的理想选择。该晶体管采用焊接药丸封装和 3-mm x 3-mm；表面贴装; 双扁平无引线封装。

CGH40006S


特征
高达 6 GHz 的操作
2.0 GHz 时 13 dB 小信号增益
6.0 GHz 时 11 dB 小信号增益
PIN = 32 dBm 时典型值为 8 W
28 伏操作

 

 

应用
2路私人收音机
宽带放大器
蜂窝基础设施
测试仪器
A类；乙; 适用于OFDM的放大器；W-CDMA；边缘; CDMA波形


 

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