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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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CGH40006P氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree
型号： CGH40006P

--- 产品参数 ---

  • 频率 高达 6 GHz 的操作
  • 增益 2.0 GHz 时 13 dB 小信号增益
  • 增益 6.0 GHz 时 11 dB 小信号增益
  • PIN PIN = 32 dBm 时典型值为 8 W
  • 电压 28 V 操作

--- 产品详情 ---

Cree 的 CGH40006P 是无与伦比的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。 该CGH40006P，运行来自 28 伏电源轨，提供通用宽带解决方案到各种射频和微波应用。 GaN HEMT提供高效率、高增益和宽带宽能力使 CGH40006P 成为线性和压缩放大器的理想选择电路。 该晶体管采用焊接式药丸封装。

CGH40006P


 

 

特征
高达 6 GHz 的操作
2.0 GHz 时 13 dB 小信号增益
6.0 GHz 时 11 dB 小信号增益
PIN = 32 dBm 时典型值为 8 W
28 V 操作

 

应用
2 路私人收音机
宽带放大器
蜂窝基础设施
测试仪器
适用于 OFDM 的 A、AB 类放大器，
W-CDMA、EDGE、CDMA 波形


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