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立年电子科技

射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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C3M0280090J碳化硅MOSFET

Wolfspeed 碳化硅MOSFET
型号： C3M0280090J

--- 产品参数 ---

  • 漏源电压 900V
  • 栅极 -源极电压静态 -4/+15V
  • 栅极 -源极电压动态 -8/+19V
  • 脉冲漏极电流 22A
  • 功耗 49W
  • 工作结温和存储温度 -55to +150˚C
  • 焊接温度 260˚C

--- 产品详情 ---

C3M0280090J扩展了其在碳化硅 (SiC) 技术低电感分立封装方面的领先地位，具有宽漏极和源极之间的爬电距离和间隙距离 (~8mm)。充分利用最新 MOSFET 芯片的高频能力，同时提供适用于高污染环境的额外电气隔离。独立的 Kelvin 源极引脚降低了电感；可将开关损耗降低多达 30%。设计人员可以通过从基于硅的转变来减少组件数量；改进的开关性能使三级拓扑变为更简单的两级拓扑成为可能。

C3M0280090J

好处
• 更高的系统效率
• 降低冷却要求
• 提高功率密度
• 提高系统开关频率


特征
• 新的 C3M SiC MOSFET 技术
• 高阻断电压和低导通电阻
• 低电容的高速开关
• 带有驱动源的新型低阻抗封装
• 具有低反向恢复 (Qrr) 的快速本征二极管
• 无卤素，符合 RoHS 标准
• 漏极和源极之间的爬电距离宽 (~7mm)


应用
• 再生能源
• 灯光
• 高压 DC/DC 转换器
• 电信电源
• 感应加热

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