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立年电子科技

射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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CG2H40035P高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree 晶体管
型号： CG2H40035P

--- 产品参数 ---

  • 频率 高达 6 GHz 的操作
  • PSAT功率 40 W 典型 PSAT
  • PSAT效率 PSAT 的效率为 64%
  • 增益 3.5 GHz 时 14 dB 小信号增益
  • 电压 28 伏操作

--- 产品详情 ---

CG2H40035 是无与伦比的；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H40035；从 28 伏电压轨运行；提供一般用途；适用于各种射频和微波应用的宽带解决方案。GaN HEMT 提供高效率；高增益和宽带宽能力使 CG2H40035 成为线性和压缩放大器电路的理想选择。晶体管可用于旋入式；法兰封装和焊接；药丸包。

CG2H40035P

 

 

特征

高达 6 GHz 的操作

40 W 典型 PSAT

PSAT 的效率为 64%

3.5 GHz 时 14 dB 小信号增益

28 伏操作

 

 

应用

2路私人收音机

宽带放大器

蜂窝基础设施

测试仪器

A类；乙; 适用于OFDM的线性放大器；W-CDMA；边缘; CDMA波形

 

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