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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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CG2H40045F氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree 晶体管
型号： CG2H40045F

--- 产品参数 ---

  • 频率 高达 4 GHz 的操作
  • 增益 2.0 GHz 时 18 dB 小信号增益
  • 增益 4.0 GHz 时 14 dB 小信号增益
  • PSAT功率 55 W 典型 PSAT
  • PSA效率 PSAT 60% 的效率
  • 电压 28 伏操作

--- 产品详情 ---

CG2H40045 是无与伦比的；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H40045；从 28 伏电压轨运行；提供一般用途；适用于各种射频和微波应用的宽带解决方案。GaN HEMT 提供高效率；高增益和宽带宽能力使 CG2H40045 成为线性和压缩放大器电路的理想选择。该晶体管采用法兰和药丸封装。

CG2H40045F

 

 

 

特征
高达 4 GHz 的操作
2.0 GHz 时 18 dB 小信号增益
4.0 GHz 时 14 dB 小信号增益
55 W 典型 PSAT
PSAT 60% 的效率
28 伏操作

 

应用
2路私人收音机
宽带放大器
蜂窝基础设施
测试仪器
A类；乙; 适用于OFDM的线性放大器；W-CDMA；边缘; CDMA波形

 

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