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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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CG2H80045D-GP4高电子迁移率晶体管 (HEMT)

晶体管
型号： CG2H80045D-GP4

--- 产品参数 ---

  • PSAT功率 45 W 典型 PSAT
  • 电压 28 伏操作
  • 击穿电压 高击穿电压
  • 频率 高达 8 GHz 的操作
  • 环境 高温操作

--- 产品详情 ---

CG2H80045D 是一种氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移速度；和更高的热导率。与 Si 和 GaAs 晶体管相比，GaN HEMT 提供更高的功率密度和更宽的带宽。

CG2H80045D-GP4

 

 

特征
45 W 典型 PSAT
28 伏操作
高击穿电压
高温操作
高达 8 GHz 的操作
高效率


应用
2路私人收音机
宽带放大器
蜂窝基础设施
测试仪器
A类；乙; 适用于OFDM的线性放大器；W-CDMA；边缘; CDMA波形

 

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