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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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E3M0075120K碳化硅MOSFET

晶体管 碳化硅MOSFET
型号： E3M0075120K

--- 产品参数 ---

  • 漏源电压 1200V
  • 栅极 -源极电压 -8/+19V
  • 脉冲漏极电流 80A
  • 功耗 145W
  • 工作结温和存储温度 -55to +175˚C
  • 焊接温度 260˚C

--- 产品详情 ---

E3M0075120K为E 系列分立碳化硅 MOSFET。业界首款汽车级碳化硅 MOSFET。通过推出 E 系列碳化硅 (SiC) MOSFET 扩展了其在碳化硅领域的领先地位；业内首个汽车认证；业界提供具有 PPAP 功能且防潮的 MOSFET。它采用第三代坚固技术；提供业界最低的开关损耗和最高的品质因数。E 系列 MOSFET 针对用于 EV 电池充电器和高压 DC/DC 转换器进行了优化，并在6.6kW 双向车载充电器参考设计中采用。

E3M0075120K


优点
• 降低开关损耗并最大限度地减少栅极振铃
• 更高的系统效率
• 降低冷却要求
• 提高功率密度
• 提高系统开关频率


特征
• 第三代 SiC MOSFET 技术
• 具有独立驱动源引脚的优化封装
• 漏极和源极之间的爬电距离为 8mm
• 高阻断电压和低导通电阻
• 低电容的高速开关
• 具有低反向恢复 (Qrr) 的快速本征二极管
• 无卤素，符合 RoHS 标准
• 通过汽车认证 (AEC-Q101) 和 PPAP 能力


应用
• 电动汽车电池充电器
• 高压 DC/DC 转换器


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