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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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CGH09120F高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree
型号： CGH09120F

--- 产品参数 ---

  • 频率 UHF – 2.5 GHz 操作
  • 增益 21分贝增益
  • 功率 -38 dBc ACLR，20 W PAVE
  • PAVE效率 20 W PAVE 时效率为 35 %
  • 适用于 可应用高度 DPD 校正

--- 产品详情 ---

CGH09120F 是一种氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为高效率而设计；高增益和宽带宽能力；这使得 CGH09120F 成为 MC-GSM 的理想选择；WCDMA 和 LTE 放大器应用。该晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。

CGH09120F

 

 

特征
UHF – 2.5 GHz 操作
21分贝增益
-38 dBc ACLR，20 W PAVE
20 W PAVE 时效率为 35 %
可应用高度 DPD 校正


应用
WiMAX
BWA
LTE


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