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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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CGH25120F高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree
型号： CGH25120F

--- 产品参数 ---

  • 频率 2.3 – 2.7 GHz 操作
  • 增益 13分贝增益
  • PAVE功率 20 W PAVE 时 -32 dBc ACLR
  • PAVE效率 20 W PAVE 时效率为 30 %
  • 应用特性 可应用高度 DPD 校正

--- 产品详情 ---

CGH25120F 是一种氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为实现高效率而设计；高增益和宽带宽能力；这使得 CGH25120F 成为 2.3-2.7GHz WiMAX 的理想选择；LTE 和 BWA 放大器应用。该晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。

CGH25120F

 


特征
2.3 – 2.7 GHz 操作
13分贝增益
20 W PAVE 时 -32 dBc ACLR
20 W PAVE 时效率为 30 %
可应用高度 DPD 校正


应用
MC-GSM；WCDMA 和 LTE 放大器


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