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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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C2M1000170D碳化硅MOSFET

晶体管 碳化硅MOSFET
型号： C2M1000170D

--- 产品参数 ---

  • 漏源电压 1700V
  • 栅极 - 源极电压 -10/+25
  • 栅极 - 源极电压 -5/+20
  • 脉冲漏极电流 15A
  • 功耗 69W
  • 工作结温和存储温度 -55to+150˚C
  • 焊接温度 260˚C

--- 产品详情 ---

C2M1000170D为1700 V 分立碳化硅 MOSFET。为下一代电源转换提供更快的开关和更高的可靠性。1700 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 可实现更小、更高效的电源转换系统。与基于硅的解决方案相比；碳化硅技术可提高系统功率密度；更高的开关频率；较小的设计；冷却器组件；减小电感器等组件的尺寸；电容器；滤波器和变压器；和总体成本效益。

C2M1000170D

优点
• 更高的系统效率
• 提高系统开关频率
• 降低冷却要求
• 提高系统可靠性


特征
• 低电容的高速开关
• 高阻断电压和低 RDS(on)
• 易于并联且易于驱动
• 超低漏栅电容
• 无卤素，符合 RoHS 标准

应用
• 辅助电源
• 开关模式电源
• 高压容性负载

 

漏源电压:1700V
栅极 - 源极电压：-10/+25
栅极 - 源极电压：-5/+20
脉冲漏极电流：15A
功耗：69W
工作结温和存储温度:-55to+150˚C
焊接温度:260˚C


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