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立年电子科技

射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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CSD01060E分立碳化硅肖特基二极管

二极管 晶体管
型号： CSD01060E

--- 产品参数 ---

  • 重复峰值反向电压 600V
  • 浪涌峰值反向电压 600V
  • 直流阻断电压 600V
  • 非重复峰值正向浪涌电 9A
  • 非重复峰值正向浪涌电 32W
  • 功耗 21.4W
  • 工作结温和存储温度 -55to+175˚C

--- 产品详情 ---

CSD01060E为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更坚固可靠。将碳化硅二极管与SiC MOSFET配对，在一起购买时可实现更高效率和更低组件价格的强大组合。

CSD01060E


优点
• 用单极整流器代替双极
• 基本上没有开关损耗
• 更高的效率
• 减少整流器散热片
• 没有热失控的并行器件

特征
• 600 伏肖特基整流器
• 零反向恢复电流
• 零正向恢复电压
• 高频操作
• 与温度无关的开关行为
• 极快的切换
• VF 上的正温度系数


应用
• 开关模式电源
• 功率因数校正
- 典型 PFC Pout : 100W-200W
• 电机驱动
- 典型功率：0.25HP-0.5HP


重复峰值反向电压:600V
浪涌峰值反向电压:600V
直流阻断电压：600V
非重复峰值正向浪涌电流：9A
非重复峰值正向浪涌电流：32W
功耗：21.4，7.1W
工作结温和存储温度:-55to+175˚C

 

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