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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

6.4k 内容数 57w+ 浏览量 88 粉丝

C3D10060G

型号： C3D10060G

--- 产品参数 ---

  • 重复峰值反向电压 600V
  • 浪涌峰值反向电压 600V
  • 直流阻断电压 600V
  • 功耗 125-54W
  • 二极管dV/dt耐用 200V/ns
  • 工作结温和存储温度 -55to+175˚C

--- 产品详情 ---

C3D10060G为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更坚固可靠。将碳化硅二极管与SiC MOSFET配对，在一起购买时可实现更高效率和更低组件价格的强大组合。

C3D10060G


好处
• 用单极整流器代替双极
• 基本上没有开关损耗
• 更高的效率
• 降低散热器要求
• 没有热失控的并行器件


特征
• 600 伏肖特基整流器
• 零反向恢复电流
• 零正向恢复电压
• 高频操作
• 与温度无关的开关行为
• 极快的切换
• VF 上的正温度系数

应用
• 开关模式电源 (SMPS)
• PFC 或 DC/DC 级中的升压二极管
• 逆变器级中的续流二极管
• AC/DC 转换器


重复峰值反向电压:600V
浪涌峰值反向电压:600V
直流阻断电压：600V
功耗：125-54W
二极管dV/dt耐用性：200V/ns
工作结温和存储温度:-55to+175˚C

 

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