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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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C3D04065E分立碳化硅肖特基二极管

型号： C3D04065E

--- 产品参数 ---

  • 重复峰值反向电压 650V
  • 浪涌峰值反向电压 650V
  • 直流阻断电压 650V
  • 非重复峰值正向浪涌电 100A
  • 功耗 52-22.5W
  • 二极管dV/dt耐用 200V/ns
  • 工作结温和存储温度 -55to+175˚C

--- 产品详情 ---

C3D04065E为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二极管技术针对高性能电力电子应用进行了优化；包括服务器电源；电动汽车充电系统；储能系统；太阳能（PV）逆变器；和消费电子产品。。

C3D04065E


好处
• 用单极整流器代替双极
• 基本上没有开关损耗
• 更高的效率
• 降低散热器要求
• 没有热失控的并行器件

特征
• 650 伏肖特基整流器
• 针对 PFC 升压二极管应用进行了优化
• 零反向恢复电流
• 零正向恢复电压
• 高频操作
• 与温度无关的开关行为
• 极快的切换
• VF 上的正温度系数


应用
• 开关模式电源 (SMPS)
• PFC 或 DC/DC 级中的升压二极管
• 逆变器级中的续流二极管
• AC/DC 转换器


重复峰值反向电压:650V
浪涌峰值反向电压:650V
直流阻断电压：650V
非重复峰值正向浪涌电流：100A
功耗：52-22.5W
二极管dV/dt耐用性：200V/ns
工作结温和存储温度:-55to+175˚C

 

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