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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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C6D06065Q分立碳化硅肖特基二极管

型号： C6D06065Q

--- 产品参数 ---

  • 重复峰值反向电压 650V
  • 直流阻断电压 650V
  • 结温 -55 to +175˚C
  • 功耗 62-27W
  • 二极管dV/dt耐用 200V/ns
  • 工作结温和存储温度 -55to+150˚C

--- 产品详情 ---

C6D06065Q为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。描述具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准，同时还达到更高的频率和功率密度。SiC二极管可轻松并联以满足各种应用要求，而不用担心热失控。 结合降低冷却要求并改善热
SiC产品的性能，SiC极管能够提供在各种不同的应用中降低整体系统成本。

C6D06065Q


好处
• 用单极整流器代替双极
• 基本上没有开关损耗
• 更高的效率
• 降低散热器要求
• 没有热失控的并行器件


特征
• 低正向电压（VF) 以正面下降
温度系数
• 零反向恢复电流/正向
恢复电压
• 与温度无关的开关行为
• 低电感的薄型封装


应用
• 企业电源、服务器和电信
电源
• 开关模式电源
• 工业电源
• 提升功率因数校正
• 自举二极管
• LLC 钳位


重复峰值反向电压:650V
直流阻断电压：650V
结温：-55 to +175˚C
功耗：62-27W
二极管dV/dt耐用性：200V/ns
工作结温和存储温度:-55to+150˚C

 

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