--- 产品参数 ---
- 重复峰值反向电压 650V
- 直流阻断电压 650V
- 结温 -55 to +175˚C
- 功耗 62-27W
- 二极管dV/dt耐用 200V/ns
- 工作结温和存储温度 -55to+150˚C
--- 产品详情 ---
C6D06065Q为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。描述具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管,电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准,同时还达到更高的频率和功率密度。SiC二极管可轻松并联以满足各种应用要求,而不用担心热失控。 结合降低冷却要求并改善热
SiC产品的性能,SiC极管能够提供在各种不同的应用中降低整体系统成本。
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好处
• 用单极整流器代替双极
• 基本上没有开关损耗
• 更高的效率
• 降低散热器要求
• 没有热失控的并行器件
特征
• 低正向电压(VF) 以正面下降
温度系数
• 零反向恢复电流/正向
恢复电压
• 与温度无关的开关行为
• 低电感的薄型封装
应用
• 企业电源、服务器和电信
电源
• 开关模式电源
• 工业电源
• 提升功率因数校正
• 自举二极管
• LLC 钳位
重复峰值反向电压:650V
直流阻断电压:650V
结温:-55 to +175˚C
功耗:62-27W
二极管dV/dt耐用性:200V/ns
工作结温和存储温度:-55to+150˚C
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