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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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C6D06065G分立碳化硅肖特基二极管

型号: C6D06065G

--- 产品参数 ---

  • 重复峰值反向电压 650V
  • 直流阻断电压 650V
  • 功耗 73-31W
  • 总电容电荷 22nC
  • 工作结温和存储温度 -55to+150˚C

--- 产品详情 ---

C6D06065G为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管,电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准,同时还达到更高的频率和功率密度。SiC二极管可轻松并联以满足各种应用要求,而不用担心热失控。 结合降低冷却要求并改善热SiC产品的性能,SiC二极管能够提供在各种不同的应用中降低整体系统成本。

C6D06065G


好处
• 用单极整流器代替双极
• 基本上没有开关损耗
• 更高的效率
• 降低散热器要求
• 没有热失控的并行器件


特征
• 低正向电压(VF) 以正面下降
温度系数
• 零反向恢复电流/正向
恢复电压
• 与温度无关的开关行为
• 低漏电流 (IR)

应用
• 工业电源
• 开关模式电源
• 服务器/电信电源
• 功率因数校正
• 太阳能逆变器
• 不间断电源供应


重复峰值反向电压:650V
直流阻断电压:650V
功耗:73-31W
总电容电荷:22nC
工作结温和存储温度:-55to+150˚C

 

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