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立年电子科技

射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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E3D08065G分立碳化硅肖特基二极管

型号： E3D08065G

--- 产品参数 ---

  • 重复峰值反向电压 650V
  • 直流阻断电压 650V
  • 重复峰值正向浪涌电流 31-18A
  • 功耗 102-44W
  • 工作结温和存储温度 -55to+175˚C

--- 产品详情 ---

E3D08065G为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二极管技术针对高性能电力电子应用进行了优化；包括服务器电源；电动汽车充电系统；储能系统；太阳能（PV）逆变器；和消费电子产品。

E3D08065G


好处
• 更高的系统级效率
• 提高系统功率密度
• 降低散热器要求
• 没有热失控的并行器件

 

特征
• 650V 肖特基整流器
• 零反向恢复电流
• 零正向恢复电压
• 高频操作
• 与温度无关的开关行为
• 极快的切换
• VF 上的正温度系数

 

应用
• 汽车电池充电器
• PFC 或 DC/DC 级中的升压二极管
• 逆变器级中的续流二极管
• AC/DC 转换器
• 光伏逆变器


重复峰值反向电压:650V
直流阻断电压：650V
重复峰值正向浪涌电流：31-18A
功耗：102-44W
工作结温和存储温度:-55to+175˚C

 


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