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立年电子科技

射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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C6D08065E分立碳化硅肖特基二极管

型号： C6D08065E

--- 产品参数 ---

  • 重复峰值反向电压 650V
  • 直流阻断电压 650V
  • 重复峰值正向浪涌电流 34-20A
  • 功耗 85-37W
  • 工作结温和存储温度 -55to+175˚C

--- 产品详情 ---

C6D08065E为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二极管技术针对高性能电力电子应用进行了优化；包括服务器电源；电动汽车充电系统；储能系统；太阳能（PV）逆变器；和消费电子产品。

C6D08065E


好处
• 更高的系统级效率
• 提高系统功率密度
• 降低散热器要求
• 没有热失控的并行器件

 

特征
• 新的第 6 代技术
• 低正向压降（VF)
• 零反向恢复电流
• 零正向恢复电压
• 低漏电流（Ir)
• 与温度无关的开关行为
• VF 上的正温度系数


应用
• 开关模式电源 (SMPS)
• 服务器/电信电源
• 工业电源
• 太阳的
• UPS


重复峰值反向电压:650V
直流阻断电压：650V
重复峰值正向浪涌电流：34-20A
功耗：85-37W
工作结温和存储温度:-55to+175˚C

 


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