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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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CGH35240F高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree
型号： CGH35240F

--- 产品参数 ---

  • 频率 3.1 – 3.5 GHz 操作
  • 输出功率 240 W 典型输出功率
  • 功率增益 11.6 dB 功率增益在 PIN = 42.0 dBm
  • 功率附加效率 57% 的典型功率附加效率
  • 内部匹配 50 欧姆内部匹配
  • 脉冲幅度 <0.2 dB 脉冲幅度下降

--- 产品详情 ---

CGH35240F 是一款专为高效设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)；高增益和宽带宽能力；这使得 CGH35240F 非常适合 3.1 – 3.5-GHz；S波段；雷达放大器应用。该晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。

CGH35240F

 

特征
3.1 – 3.5 GHz 操作
240 W 典型输出功率
11.6 dB 功率增益在 PIN = 42.0 dBm
57% 的典型功率附加效率
50 欧姆内部匹配
<0.2 dB 脉冲幅度下降

 

应用
S 波段雷达放大器

 

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