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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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C6D10065G分立碳化硅肖特基二极管

型号： C6D10065G

--- 产品参数 ---

  • 重复峰值反向电压 650V
  • 直流阻断电压 650V
  • 最大持续电流 10A
  • 总电容电荷 34 nC
  • 功耗 108W
  • 电容储能 5.2µJ
  • 外壳和存储温度 -55 to +150°C

--- 产品详情 ---

C6D10065G是650 V 分立碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准，同时还达到更高的频率和功率密度。SiC二极管可轻松并联以满足各种应用要求，而不用担心热失控。 结合降低冷却要求并改善热SiC产品的性能，SiC二极管能够提供在各种不同的应用中降低整体系统成本。

C6D10065G


特征
• 低正向电压（VF) 以正面下降
温度系数
• 零反向恢复电流/正向
恢复电压
• 与温度无关的开关行为
• 低电感的薄型封装


应用
• 企业电源、服务器和电信
电源
• 开关模式电源
• 工业电源
• 提升功率因数校正
• 自举二极管
• LLC 钳位

 

重复峰值反向电压：650V
直流阻断电压:650V
最大持续电流：10A
总电容电荷：34 nC
功耗：108W
电容储能：5.2µJ
外壳和存储温度：-55 to +150°C
最高加工温度:325°C

 


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