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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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C4D08120E分立碳化硅肖特基二极管

型号： C4D08120E

--- 产品参数 ---

  • 阻断电压 1200V
  • 最大持续电流 8A
  • 总电容电荷 37nC
  • 功耗 137W
  • 正向电压 1.5V

--- 产品详情 ---

C4D08120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更加坚固可靠。将碳化硅二极管与碳化硅 MOSFET配对可在一起购买时实现更高效率和更低组件价格的强大组合。

C4D08120E


好处
• 用单极整流器代替双极
• 基本上没有开关损耗
• 更高的效率
• 降低散热器要求
• 没有热失控的并行器件


特征
• 1.2kV 肖特基整流器
• 零反向恢复电流
• 高频操作
• 与温度无关的开关
• 极快的切换
• VF 上的正温度系数


应用
• 开关模式电源 (SMPS)
• PFC 或 DC/DC 级中的升压二极管
• 逆变器级中的续流二极管
• LED 照明电源
• AC/DC 转换器


阻断电压:1200V
最大持续电流：8A
总电容电荷：37nC
功耗：137W
正向电压：1.5V

 


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