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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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E4D20120G分立碳化硅肖特基二极管

型号： E4D20120G

--- 产品参数 ---

  • 阻断电压 1200V
  • 最大持续电流 20A
  • 总电容电荷 110nC
  • 正向电压 1.5V
  • 二极管dV/dt耐用 250 V/ns

--- 产品详情 ---

E4D20120G是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更加坚固可靠。将碳化硅二极管与碳化硅 MOSFET配对可在一起购买时实现更高效率和更低组件价格的强大组合。

E4D20120G


好处
• 用单极整流器代替双极
• 基本上没有开关损耗
• 更高的效率
• 降低散热器要求
• 没有热失控的并行器件
• 户外环境的理想选择


特征
• 第 4 代 SiC 合并 PIN 肖特基技术
• 零反向恢复电流
• 高频操作
• 与温度无关的开关行为
• 符合 AEC-Q101 标准并支持 PPAP
• 防潮


应用
• PFC 或 DC/DC 级中的升压二极管
• 逆变器级中的续流二极管
• AC/DC 转换器
• 汽车和牵引电源转换
• 光伏逆变器


阻断电压:1200V
最大持续电流：20A
总电容电荷：110nC
正向电压：1.5V
二极管dV/dt耐用性：250 V/ns

 


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