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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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C4D40120H分立碳化硅肖特基二极管

型号： C4D40120H

--- 产品参数 ---

  • 阻断电压 1200V
  • 最大持续电流 40A
  • 总电容电荷 167nC
  • 功耗 667W
  • 正向电压 1.5V
  • 电容储能 36 µJ

--- 产品详情 ---

C4D40120H是1200V 分立碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准，同时还达到更高的频率和功率密度。SiC二极管可轻松并联以满足各种应用要求，而不用担心热失控。 结合降低冷却要求并改善热SiC产品的性能，SiC二极管能够提供在各种不同的应用中降低整体系统成本。

C4D40120H


特征
• 低正向电压（VF) 以正面下降
温度系数
• 零反向恢复电流/正向恢复
电压
• 与温度无关的开关行为
• 增加爬电距离/间隙 + HV-H3TRB 坚固


应用
• 电池充电器
• 太阳能和可再生能源电力转换
• 工业电源
• PFC 和 DC-DC 中的升压二极管

 

阻断电压:1200V
最大持续电流：40A
总电容电荷：167nC
功耗：667W
正向电压：1.5V
电容储能：36 µJ

 

 


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