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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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CPM3-0900-0030A裸片碳化硅MOSFET

型号： CPM3-0900-0030A

--- 产品参数 ---

  • 阻断电压 900V
  • 电阻 30hR
  • 栅极电荷总数 87nC
  • 输出电容 137pF
  • 反向恢复电荷 545nC
  • 反向恢复时间 62纳秒
  • 最高结温 175°C

--- 产品详情 ---

CPM3-0900-0030A是900 V 裸片碳化硅 MOSFET – 第 3 代。第 3 代系列 900 V 碳化硅 MOSFET，用于高性能电力电子设备。通过引入最先进的 SiC MOSFET 技术来扩展其在碳化硅 (SiC) 技术方面的领先地位；业界首个 900 V MOSFET 平台。针对高频电力电子应用进行了优化；包括可再生能源逆变器；电动汽车充电系统；三相工业电源；新的 900V 平台使体积更小；打火机; 和更高效率的下一代电源转换系统，其成本与基于硅的解决方案相当。

CPM3-0900-0030A


好处
高压；高温; 和高耐湿性使太阳能转换和非车载充电的真正户外应用成为可能
通过显着降低开关损耗提高系统效率
减小系统尺寸；重量; 和冷却要求
提高功率密度
易于并行并与标准栅极驱动设计兼容

 

特征
在整个工作温度范围内至少 900V Vbr
高阻断电压和低 RDS(on)
具有低反向恢复电荷 (Qrr) 的快速本征二极管
具有低输出电容的高速开关


应用
太阳能逆变器
电机驱动
高压 DC/DC 转换器
开关模式电源
固态断路器
非车载充电器


阻断电压:900V
电阻：30hR 
栅极电荷总数：87nC
输出电容：137pF
反向恢复电荷：545nC
反向恢复时间 ：62纳秒
最高结温：175°C

 


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