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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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CPM3-1700-R020E裸片碳化硅MOSFET

型号： CPM3-1700-R020E

--- 产品参数 ---

  • 阻断电压 1700V
  • 电阻 17.5hR
  • 栅极电荷总数 249nC
  • 输出电容 188pF
  • 反向恢复电荷 2557nC
  • 反向恢复时间 43纳秒
  • 最高结温 175°C

--- 产品详情 ---

CPM3-1700-R020E是1700 V 工业级裸片碳化硅 MOSFET – Gen 3。符合工业标准的第 3 代 1700 V 碳化硅 MOSFET 针对高功率应用进行了优化凭借我们的首款工业 Gen3 1700 V 裸片 SiC MOSFET 继续在碳化硅 (SiC) 领域处于领先地位。该产品完全符合工业标准，具有高阻断电压 (1700 V) 和业界领先的低 R DS(ON)过温稳定性，可在最苛刻的应用中实现低传导损耗和最高品质因数。这些设备经过优化，可用于高功率应用，例如机车牵引、固态断路器、太阳能、不间断电源等。基于最新的第三代技术；1700 V 裸片碳化硅 MOSFET 包括一系列导通电阻和封装选项，使设计人员能够为其应用选择正确的器件。1700 V MOSFET 专为低 R DS(ON)设计，易于并联并与标准栅极驱动设计兼容。从基于硅的解决方案转向碳化硅所获得的效率有助于减少系统尺寸、重量和冷却要求。背面金属化为模块设计人员在选择组装工艺和模块布局方面提供了更好的解决方案

CPM3-1700-R020E


好处
以更低的开关和传导损耗提高系统效率
减小系统尺寸、重量和冷却要求
实现高开关频率操作
易于并行并与标准栅极驱动设计兼容


特征
工业合格
高阻断电压和业界领先的低 R DS(on)过温稳定性
抗闭锁
驱动器的高栅极电阻


应用
火车牵引
太阳能
不间断电源系统 (UPS)
风力


阻断电压:1700V
电阻：17.5hR
栅极电荷总数：249nC 
输出电容：188pF
反向恢复电荷：2557nC
反向恢复时间 ：43纳秒
最高结温：175°C

 


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