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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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CPW2-0650-S006B裸片碳化硅肖特基二极管

型号： CPW2-0650-S006B

--- 产品参数 ---

  • 阻断电压 650V
  • 总电容电荷 15 nC
  • 二极管dV/dt耐用 200 V/ns
  • 最高加工温度 325 ˚C
  • 电容储能 2.3 μJ

--- 产品详情 ---

CPW2-0650-S006B是650 V 裸片碳化硅肖特基二极管 – 第 2 代。第 3 代系列 650 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管具有极快的开关速度；零正反向恢复；和高频操作。针对开关模式电源 (SMPS) 等高功率应用进行了优化；PFC 或 DC/DC 级中的升压二极管；逆变器级中的续流二极管；AC/DC转换器；和太阳能系统。

CPW2-0650-S006B


好处
减小系统尺寸；重量; 和冷却要求
增加功率密度
并行模式操作可能

 

特征
650 伏肖特基整流器
零反向恢复
零前向恢复
高频操作
与温度无关的开关行为
极快的切换
VF 上的正温度系数

 

应用
开关模式电源 (SMPS)
PFC 或 DC/DC 级中的升压二极管
逆变器级中的续流二极管
AC/DC 转换器
太阳能系统

 

阻断电压:650V
总电容电荷：15 nC
二极管dV/dt耐用性:200 V/ns
最高加工温度:325 ˚C
电容储能:2.3 μJ

 


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