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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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CAB008A12GM3碳化硅功率模块

型号: CAB008A12GM3

--- 产品参数 ---

  • 阻断电压 1200V
  • 包裹 GM3
  • 配置 半桥(AlN 基板)
  • 电阻 8μJ
  • 模块尺寸 62.8 毫米 x 56.7 毫米
  • 最高结温 150°C

--- 产品详情 ---

CAB008A12GM3是碳化硅功率模块系列。碳化硅的实施变得简单;袖珍的;出了无基板模块系列,以满足中等功率应用的要求;提供整个电力电子连续体的解决方案。这款模块是希望在紧凑型中提高效率和功率密度的设计人员的绝佳选择;行业标准的足迹。该系列模块为快速设计实施提供了出色的解决方案;可扩展性;并降低装配开销。目前有半桥和六组配置。

CAB008A12GM3

系统优势
• 支持紧凑、轻量级的系统
• 由于 SiC 的低开关损耗和传导损耗,提高了系统效率
• 降低热需求和系统成本


技术特点
• 超低损耗
• 高频操作
• MOSFET 的零关断尾电流
• 常关、故障安全设备操作
• 氮化铝陶瓷基板


应用
• 电动汽车充电器
• 太阳的
• 高效转换器/逆变器
• 电机和牵引驱动器
• 智能电网/并网分布式发电


阻断电压:1200V
包裹:GM3
配置:半桥(AlN 基板)
电阻:8μJ
模块尺寸:62.8 毫米 x 56.7 毫米
最高结温:150°C


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