--- 产品参数 ---
- 电源电压 16 V
- 输入信号电压高 5 V
- 输入信号电压低 0V
- 输出峰值电流 9 (±2) A
- 每个门的输出功率 1.2 W
- 最大限度,开关频率 250 kHz
- 漏源电压 1200 V
--- 产品详情 ---
CCB021M12FM3是栅极驱动板。CGD15FB45P1 是用于 1200V SiC MOSFET 功率模块的六通道栅极驱动器。六个栅极驱动通道中的每一个都由一个去饱和电路保护。发生短路时;MOSFET 两端的电压 (V DS ) 上升,直到达到阈值,该阈值导致去饱和电路将所有六个栅极驱动通道驱动到关闭状态。
特征
6 个输出通道
隔离电源
直接贴装低电感设计
短路保护
过温保护
欠压保护
与 Cree 模块一起使用
45mm,六片装 CCS020M12CM2
45mm,六件装 CCS050M12CM2
应用
用于两级 SiC MOSFET 模块的驱动器,
三相逆变器应用
直流母线电压高达 1000VDC
电源电压:16 V
输入信号电压高:5 V
输入信号电压低:0V
输出峰值电流:9 (±2) A
每个门的输出功率:1.2 W
最大限度,开关频率:250 kHz
漏源电压:1200 V
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