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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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CGH55030F1 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree
型号： CGH55030F1

--- 产品参数 ---

  • 瞬时带宽 300 MHz 瞬时带宽
  • 峰值功率能力 30 W 峰值功率能力
  • 增益 10 dB 小信号增益
  • 4 W PAVE 4 W PAVE < 2.0% EVM
  • 平均功率 平均功率为 4 W 时效率为 25%

--- 产品详情 ---

CGH55030F1/CGH55030P1 是专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)；高增益和宽带宽能力；这使得H55030F1/CGH55030P1 非常适合 5.5 – 5.8-GHz WiMAX 和 BWA 放大器应用。该晶体管提供旋入式法兰和焊接式药丸封装。基于适当的外部匹配调整；H55030F1/CGH55030P1 也适用于 4.9 – 5.5-GHz 应用。

CGH55030F1

 


特征
300 MHz 瞬时带宽
30 W 峰值功率能力
10 dB 小信号增益
4 W PAVE < 2.0% EVM
平均功率为 4 W 时效率为 25%

 

应用
WiMAX 固定接入 802.16-2004 OFDM 应用
多载波 DOCSIS 应用

 

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