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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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CGHV27030S 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree
型号： CGHV27030S

--- 产品参数 ---

  • 操作频率 2.5 – 2.7 GHz
  • 典型输出功率 30 W
  • 增益 5 W PAVE 时 20 dB
  • PAVE -34 dBc ACLR，5 W
  • 5 W PAVE 时 30%
  • 应用高度 APD 和 DPD 校正

--- 产品详情 ---

CGHV27030S 是无与伦比的；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，提供高效率；高增益和宽带宽能力。CGHV27030S GaN HEMT 器件非常适合频率为 700-960 MHz 的电信应用；1200-1400 兆赫；1800-2200兆赫；2500-2700 兆赫；在 50 V 和 28 V 操作下为 3300-3700 MHz。CGHV27030S 也是工作在 20-2500 MHz 的战术通信应用的理想选择；包括陆地移动无线电。其他应用包括 L 波段雷达和 S 波段雷达。CGHV27030S 可以在 50 V 或 28 V 电压轨下运行。晶体管尺寸为 3mm x 4mm；表面贴装; 双扁平无引线 (DFN) 封装。

CGHV27030S

 

特征
2.5 – 2.7 GHz 操作
30 W 典型输出功率
5 W PAVE 时 20 dB 增益
-34 dBc ACLR，5 W PAVE
5 W PAVE 时效率为 30%
可应用高度 APD 和 DPD 校正


应用
蜂窝基础设施
战术通讯
L波段雷达
S波段雷达


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