--- 产品参数 ---
- 典型 PSAT 15 W 典型 PSAT
- 电压 28 伏操作
- 耐压性 高击穿电压
- 耐高温 高温操作
- 高频率 高达 6 GHz 的操作
--- 产品详情 ---
CGH60015D 是一种氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能;包括更高的击穿电压;更高的饱和电子漂移速度;和更高的热导率。与 Si 和 GaAs 晶体管相比,GaN HEMT 提供更高的功率密度和更宽的带宽。
特征
15 W 典型 PSAT
28 伏操作
高击穿电压
高温操作
高达 6 GHz 的操作
高效率
应用
2路私人收音机
宽带放大器
蜂窝基础设施
测试仪器
A类;乙; 适用于OFDM的线性放大器;W-CDMA;边缘; CDMA波形
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