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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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CGHV1F025S-AMP1 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板

Cree
型号： CGHV1F025S-AMP1

--- 产品参数 ---

  • 高频操作 15 GHz
  • 典型输出功率 25 W
  • 增益 9.4 GHz 时 11 dB
  • 应用电路 8.9 – 9.6 GHz

--- 产品详情 ---

CGHV1F025S 是无与伦比的；氮化镓（GaN）；专为高效设计的高电子迁移率晶体管 (HEMT)；高增益和宽带宽能力。该设备可部署为L；小号；C; X 和 Ku 波段放大器应用。数据表规格基于 X 波段 (8.9 – 9.6-GHz) 放大器。CGHV1F025S 在 40 伏轨道电路上运行，而封装在 3 毫米 x 4 毫米；表面贴装; 双扁平无引线 (DFN) 封装。在降低功率下；晶体管可在 40V 以下至低至 20V VDD 的电压下工作；保持高增益和效率。

CGHV1F025S-AMP1

 

特征
高达 15 GHz 的操作
25 W 典型输出功率
9.4 GHz 时 11 dB 增益
8.9 – 9.6 GHz 的应用电路


应用
大号; 小号；C; X 和 Ku 波段放大器

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