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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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CGHV27015S高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree
型号： CGHV27015S

--- 产品参数 ---

  • 操作频率 2.4 – 2.7 GHz
  • 典型输出功率 15 W
  • 增益 2.5 W PAVE 时 21 dB
  • PAVE -38 dBc ACLR，2.5 W
  • PAVE 时效率 2.5 W 为 32%
  • 可应用高度 APD 和 DPD 校正

--- 产品详情 ---

CGHV27015S 是无与伦比的；专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)；高增益和宽带宽能力；这使得 CGHV27015S 成为 LTE 的理想选择；4G 电信和 BWA 放大器应用。CGHV27015S GaN HEMT 器件适用于 3300-3500MHz；4900-5900MHz；700-960MHz；1800-2200MHz；2500-2700MHz 和扩展的 S 和 C 波段应用。CGHV27015S 在 50 伏电压轨上运行。晶体管尺寸为 3mm x 4mm；表面贴装; 双扁平无引线 (DFN) 封装。

CGHV27015S

 

特征
2.4 – 2.7 GHz 操作
15 W 典型输出功率
2.5 W PAVE 时 21 dB 增益
-38 dBc ACLR，2.5 W PAVE
2.5 W PAVE 时效率为 32%
可应用高度 APD 和 DPD 校正


应用
长期演进；4G；电信和 BWA 放大器
战术通讯
有线电视；无人机数据链


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