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CGHV35150P高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree
型号： CGHV35150P

--- 产品参数 ---

  • 额定功率 150 W @ TCASE = 85°C
  • 工作频率 2.9 – 3.5 GHz
  • 瞬态占比 100 μsec – 300 μsec @ 20%
  • 功率增益 13.5 dB
  • 典型漏极效率 50 %
  • 脉冲幅度下降 <0.3 dB

--- 产品详情 ---

CGHV35150 是一款专为高效设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)；高增益和宽带宽能力；这使得 CGHV35150 非常适合 2.9 – 3.5GHz S 波段雷达放大器应用。该晶体管采用陶瓷/金属法兰和药丸封装。

CGHV35150P

 


特征
额定功率 = 150 W @ TCASE = 85°C
工作频率 = 2.9 – 3.5 GHz
瞬态 100 μsec – 300 μsec @ 20% 占空比
13.5 dB 功率增益@TCASE = 85°C
50 % 典型漏极效率@TCASE = 85°C
输入匹配
<0.3 dB 脉冲幅度下降

应用
S 波段雷达放大器


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