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立年电子科技

射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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CGHV35400F1氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree
型号： CGHV35400F1

--- 产品参数 ---

  • 操作频率 2.9 – 3.5 GHz
  • 典型输出功率 500 W
  • 功率增益 11分贝
  • 典型排水效率 70%
  • 欧姆内部匹配 50
  • 脉冲幅度下降 <0.3 dB

--- 产品详情 ---

CGHV35400F1 是一款完全匹配的氮化镓 (GaN) IMFET，采用耐热增强型气腔封装。该器件在 50V 电压下工作，能够提供 500W 的脉冲输出功率，在 20% 占空比下具有 2mS 的脉冲长度。

CGHV35400F1

 

特征
2.9 – 3.5 GHz 操作
500 W 典型输出功率
11分贝功率增益
70% 典型排水效率
50 欧姆内部匹配
<0.3 dB 脉冲幅度下降

应用
S 波段雷达放大器


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