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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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CGHV35120F 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree
型号： CGHV35120F

--- 产品参数 ---

  • 额定功率 120 W @ TCASE = 85°C
  • 工作频率 2.9 – 3.8 GHz
  • 瞬态 100 μsec – 300 μsec @ 20% 占
  • 功率增益 13 dB 功率增益@TCASE = 85°C
  • 典型漏极效率 62% 典型漏极效率@TCASE = 85°C
  • 脉冲幅度下降 <0.3 dB 脉冲幅度下降

--- 产品详情 ---

CGHV35120F 是专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)；高增益; 和宽带宽能力；这使得 CGHV35120F 非常适合 2.9 – 3.8 GHz 雷达放大器应用。该晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。

CGHV35120F

 

特征
额定功率 = 120 W @ TCASE = 85°C
工作频率 = 2.9 – 3.8 GHz
瞬态 100 μsec – 300 μsec @ 20% 占空比
13 dB 功率增益@TCASE = 85°C
62% 典型漏极效率@TCASE = 85°C
输入匹配
<0.3 dB 脉冲幅度下降

应用
S 波段雷达放大器


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