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CGHV37400F 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree
型号： CGHV37400F

--- 产品参数 ---

  • 频率操作范围 3.3 – 3.8 GHz
  • 典型输出功率 525 W
  • 功率增益 11.5分贝
  • 典型排水效率 55%
  • 内部匹配 50 欧姆
  • 脉冲幅度下降 <0.3 dB

--- 产品详情 ---

CGHV37400F 是专为高效设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)；高增益和宽带宽能力；这使得 CGHV37400F 非常适合 3.3 – 3.7 GHz S 波段雷达放大器应用。晶体管在输入端与 50 欧姆匹配，在输出端与 50 欧姆匹配。CGHV37400 基于50 V 高功率密度；0.4 μm GaN on碳化硅 (SiC) 铸造工艺。该晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。

CGHV37400F

 

特征
3.3 – 3.8 GHz 操作
525 W 典型输出功率
11.5分贝功率增益
55% 典型排水效率
50 欧姆内部匹配
<0.3 dB 脉冲幅度下降

应用
S 波段雷达放大器


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