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立年电子科技

射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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CGHV40030P 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree
型号： CGHV40030P

--- 产品参数 ---

  • 操作频率 高达 6 GHz
  • 典型输出功率 30 W
  • 增益 16分贝
  • 应用电路 0.96 – 1.4 GHz
  • PSAT的效率 70%
  • 操作电压 50 伏

--- 产品详情 ---

CGHV40030 是无与伦比的；专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)；高增益和宽带宽能力。该设备可部署为L；S 和 C 波段放大器应用。数据表规格基于 0.96 – 1.4 GHz 放大器。CGHV40030 在 50 伏导轨电路上运行，同时采用 2 引线法兰或药丸封装。

CGHV40030P

 

特征
高达 6 GHz 的操作
30 W 典型输出功率
16分贝增益
0.96 – 1.4 GHz 的应用电路
PSAT 70% 的效率
50 伏操作

应用
大号; S 和 C 波段放大器


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