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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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CGHV40050F-AMP 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板

Cree
型号： CGHV40050F-AMP

--- 产品参数 ---

  • 操作频率 高达 4 GHz
  • 典型输出功率 77 W
  • 信号增益 1.8 GHz 时 17.5 dB
  • 应用电路 0.8 – 2.0 GHz
  • PSAT效率 为 53 %
  • 操作电压 50 伏

--- 产品详情 ---

CGHV40050 是无与伦比的；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGHV40050；从 50 伏电压轨运行；提供通用的；适用于各种射频和微波应用的宽带解决方案。GaN HEMT 提供高效率；高增益和宽带宽能力；使 CGHV40050 成为线性和压缩放大器电路的理想选择。该晶体管采用 2 引线法兰和药丸封装。

CGHV40050F-AMP

 

特征
高达 4 GHz 的操作
77 W 典型输出功率
1.8 GHz 时 17.5 dB 小信号增益
0.8 – 2.0 GHz 的应用电路
PSAT 的效率为 53 %
50 伏操作

应用
窄带超高频
L 和 S 波段
高达 4 GHz 的多倍频程带宽放大器


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