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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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CGHV40100F-AMP 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板

Cree
型号： CGHV40100F-AMP

--- 产品参数 ---

  • 操作频率 高达 3 GHz 的
  • 典型输出功率 100 W
  • 信号增益 2.0 GHz 时 17.5 dB 小
  • 应用电路 0.5 – 2.5 GHz
  • PSAT效率 55%
  • 操作电压 50 伏

--- 产品详情 ---

CGHV40100 是无与伦比的；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGHV40100；从 50 伏电压轨运行；提供通用的；适用于各种射频和微波应用的宽带解决方案。GaN HEMT 提供高效率；高增益和宽带宽能力；使 CGHV40100 成为线性和压缩放大器电路的理想选择。该晶体管采用 2 引线法兰和药丸封装。

CGHV40100F-AMP

 

特征
高达 3 GHz 的操作
100 W 典型输出功率
2.0 GHz 时 17.5 dB 小信号增益
0.5 – 2.5 GHz 的应用电路
PSAT 的效率为 55%
50 伏操作

应用
线性和压缩放大器电路


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