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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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CGHV40200PP 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree
型号： CGHV40200PP

--- 产品参数 ---

  • 操作频率 高达 3.0 GHz 的
  • 小信号增益 1.8 GHz 时 21 dB
  • 典型 PSAT 250 W
  • PSAT 的效率 67 %
  • 操作电压 50 伏

--- 产品详情 ---

CGHV40200PP 是无与伦比的；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGHV40200PP；从 50 伏电压轨运行；提供通用的；适用于各种射频和微波应用的宽带解决方案。GaN HEMT 提供高效率；高增益和宽带宽能力；使 CGHV40200PP 成为线性和压缩放大器电路的理想选择。该晶体管采用 4 引脚法兰封装。

CGHV40200PP

 

特征
高达 3.0 GHz 的操作
1.8 GHz 时 21 dB 小信号增益
250 W 典型 PSAT
PSAT 的效率为 67 %
50 伏操作

应用
2路私人收音机
宽带放大器
蜂窝基础设施
测试仪器
A类；乙; 适用于OFDM的线性放大器；W-CDMA；边缘; CDMA波形


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