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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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CGHV50200F 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree
型号： CGHV50200F

--- 产品参数 ---

  • 操作频率 4.4 – 5.0 GHz
  • 典型 PSAT 180 W
  • 典型功率增益 11.5 dB
  • 典型功率效率 48%
  • 欧姆内部匹配 50

--- 产品详情 ---

CGHV50200F 是一款专为高效设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)；高增益和宽带宽能力；这使得 CGHV50200F 成为对流散射通信的理想选择；4.4 – 5.0-GHz C 波段卫星通信应用和超视距。晶体管采用陶瓷/金属法兰封装；输入 440215。

CGHV50200F

 

特征
4.4 – 5.0 GHz 操作
180 W 典型 PSAT
11.5 dB 典型功率增益
48% 典型功率效率
50 欧姆内部匹配

应用
对流散射通信
视线之外——BLOS
卫星通信


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