--- 产品参数 ---
- 操作频率 4.4 – 5.0 GHz
- 典型 PSAT 180 W
- 典型功率增益 11.5 dB
- 典型功率效率 48%
- 欧姆内部匹配 50
--- 产品详情 ---
CGHV50200F 是一款专为高效设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT);高增益和宽带宽能力;这使得 CGHV50200F 成为对流散射通信的理想选择;4.4 – 5.0-GHz C 波段卫星通信应用和超视距。晶体管采用陶瓷/金属法兰封装;输入 440215。
特征
4.4 – 5.0 GHz 操作
180 W 典型 PSAT
11.5 dB 典型功率增益
48% 典型功率效率
50 欧姆内部匹配
应用
对流散射通信
视线之外——BLOS
卫星通信
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