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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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CGHV60075D5-GP4 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree
型号： CGHV60075D5-GP4

--- 产品参数 ---

  • 4 GHz 时的典型 附加效率为 65%
  • 6 GHz 时的典型 功率附加效率为 60%
  • 典型 PSAT 75 W
  • 操作电压 50 伏
  • 耐压性 高击穿电压
  • 操作频率 高达 6 GHz 的操作

--- 产品详情 ---

CGHV60075D5 是一种氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移速度；和更高的热导率。与 Si 和 GaAs 晶体管相比，GaN HEMT 提供更高的功率密度和更宽的带宽。

CGHV60075D5-GP4

 


特征
4 GHz 时的典型功率附加效率为 65%
6 GHz 时的典型功率附加效率为 60%
75 W 典型 PSAT
50 伏操作
高击穿电压
高达 6 GHz 的操作

应用
2路私人收音机
宽带放大器
蜂窝基础设施
测试仪器
A类；乙; 适用于OFDM的线性放大器；W-CDMA；边缘; CDMA波形


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