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CGHV96050F1 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree
型号： CGHV96050F1

--- 产品参数 ---

  • 操作频率 7.9 – 8.4 GHz
  • POUT 典型值 80 W
  • 功率增益 >13 dB
  • 典型线性 PAE 33 %
  • 内部匹配 50 欧姆
  • 功率下降 <0.1 dB

--- 产品详情 ---

CGHV96050F1 是一种基于碳化硅 (SiC) 衬底的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与其他技术相比，这种 GaN 内部匹配 (IM) FET 可提供出色的功率附加效率。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与 GaAs 晶体管相比，GaN HEMT 还提供更高的功率密度和更宽的带宽。该 IM FET 采用金属/陶瓷法兰封装，可实现最佳电气和热性能。

CGHV96050F1

 


特征
7.9 – 8.4 GHz 操作
80 W POUT 典型值
>13 dB 功率增益
33 % 典型线性 PAE
50 欧姆内部匹配
<0.1 dB 功率下降

应用
卫星通讯
地面宽带


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