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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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CMPA0060025D 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree
型号： CMPA0060025D

--- 产品参数 ---

  • 小信号增益 18 dB
  • 典型 PSAT 30 W
  • 工作电压 高达 50 V
  • 击穿电压 高

--- 产品详情 ---

CMPA0060025 是一种基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与 Si 和 GaAs 晶体管相比，GaN HEMT 还提供更高的功率密度和更宽的带宽。这种 MMIC 可以在很小的空间内实现非常宽的带宽。

CMPA0060025D


特征
18 dB 小信号增益
30 W 典型 PSAT
工作电压高达 50 V
高击穿电压
高温操作

应用
超宽带放大器
测试仪器
EMC 放大器驱动器


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