--- 产品参数 ---
- 小信号增益 26 dB
- 典型 PSAT 60 W
- 工作电压高达 40 V
- 高击 穿电压
- 耐高温 高温操作
--- 产品详情 ---
CMPA1C1D060D 是基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC),位于碳化硅衬底上;使用 0.25-μm 栅极长度的制造工艺。与硅相比,GaN-on-SiC 具有更优越的性能;砷化镓或 GaN-on-Si;包括更高的击穿电压;更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。
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特征
26 dB 小信号增益
60 W 典型 PSAT
工作电压高达 40 V
高击穿电压
高温操作
应用
卫星通信上行
点对点电台
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