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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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CMPA1C1D060D 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree
型号： CMPA1C1D060D

--- 产品参数 ---

  • 小信号增益 26 dB
  • 典型 PSAT 60 W
  • 工作电压高达 40 V
  • 高击 穿电压
  • 耐高温 高温操作

--- 产品详情 ---

CMPA1C1D060D 是基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)，位于碳化硅衬底上；使用 0.25-μm 栅极长度的制造工艺。与硅相比，GaN-on-SiC 具有更优越的性能；砷化镓或 GaN-on-Si；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。

CMPA1C1D060D

 


特征
26 dB 小信号增益
60 W 典型 PSAT
工作电压高达 40 V
高击穿电压
高温操作

应用
卫星通信上行
点对点电台


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