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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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CMPA1D1E025F 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree
型号： CMPA1D1E025F

--- 产品参数 ---

  • 小信号增益 24 dB
  • 典型脉冲 PSAT 40 W
  • 工作电压 高达 40 V
  • A/B类高增益； 高效率50欧MMIC Ku波段大功率放大器

--- 产品详情 ---

CMPA1D1E025F 是基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)，位于碳化硅衬底上；使用 0.25-μm 栅极长度制造工艺。与硅相比，GaN-on-SiC 具有更优越的性能；砷化镓或 GaN-on-Si；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。此 Ku Band MMIC 有 10 引脚可供选择；25 毫米 x 9.9 毫米；金属/陶瓷法兰封装，以获得最佳的电气和热性能。

CMPA1D1E025F

 


特征
24 dB 小信号增益
40 W 典型脉冲 PSAT
工作电压高达 40 V
OQPSK 下的 20 W 线性功率
A/B类高增益；高效率50欧MMIC Ku波段大功率放大器

应用
卫星通信上行


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