Wolfspeed 的 CMPA1D1E030D 是基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)，位于碳化硅衬底上；使用 0.25-μm 栅极长度的制造工艺。与硅相比，GaN-on-SiC 具有更优越的性能；砷化镓或 GaN-on-Si；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。
特征
27 dB 小信号增益
30 W 典型 PSAT
工作电压高达 40 V
高击穿电压
高温操作
应用
卫星通信上行
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