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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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CMPA2060035D 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree
型号： CMPA2060035D

--- 产品参数 ---

  • 小信号增益 28 dB
  • 典型 PSAT 35 W
  • 工作电压高达 32 V
  • 耐压性 高击穿电压
  • 耐高温 高温操作

--- 产品详情 ---

CMPA2060035 是一种基于氮化镓 (GaN) HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与 Si 和 GaAs 晶体管相比，GaN HEMT 还提供更高的功率密度和更宽的带宽。该 MMIC 包含两级无功匹配放大器设计方法，可在小尺寸内实现非常宽的带宽。提供裸片和带有铜钨散热器的旋入式封装。

CMPA2060035D

 


特征
28 dB 小信号增益
35 W 典型 PSAT
工作电压高达 32 V
高击穿电压
高温操作

 

 

应用
超宽带驱动器
光纤驱动器
测试仪器
EMC 放大器驱动器

 

 

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