--- 产品参数 ---
- 小信号增益 24 dB
- 典型 PSAT 25 W
- 工作电压高达 28 V
- 耐压性 高击穿电压
- 耐高温 高温操作
--- 产品详情 ---
CMPA2560025 是一款基于氮化镓 (GaN) HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能;包括更高的击穿电压;更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与 Si 和 GaAs 晶体管相比,GaN HEMT 还提供更高的功率密度和更宽的带宽。该 MMIC 包含一个两级无功匹配放大器;可以在很小的空间内实现非常宽的带宽。提供裸片和带有铜钨散热器的旋入式封装。
特征
24 dB 小信号增益
25 W 典型 PSAT
工作电压高达 28 V
高击穿电压
高温操作
应用
超宽带放大器
光纤驱动器
测试仪器
EMC 放大器驱动器
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